1. Intrinsic semiconductor(진성 반도체) : 불순물이 없는 완벽한 Si (실리콘)
<진성 캐리어 농도ni는 절대온도의 따라 다른 값을 갖게 된다.>
-> 아직 진성 캐리어 농도의 정확한 의미를 모르겠다.
- 절대온도 = 0K -> 캐리어 농도가 0
- 절대온도 > 0K -> Valance band(가전자대)에 있는 전자가 Conduction band로 올라가는 현상(열적 생성)이 발생한다. 즉 Valance band 에는 전공(hole)이 발생, Conduction band에는 전자가 생성된다. 즉, Valance band 에서 Conduction band로 올라간 전자의 수와, Valance band에 전자가 빠져버린 빈자리,, 즉 정공의 수는 동일하다.! 이걸 전자 정공의 쌍이라고 하며, 이 쌍이 생성되게 된다. 따라서, Valance band에 있는 전자와, Conduction band에 있는 전공의 농도는 동일하다!
이때의, 가전자대 전자 농도 = 전도대의 전공 농도 = 진성 캐리어 농도를 정의할 수 있다.
즉, n0 = p0 = ni
- 가전자대의 전자 농도 : n0
- 전도대의 전공 농도 : p0
- 진성 캐리어 농도 : ni
출처: 엔지닉 빨간책 보고 정리
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